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高純度的多晶對生長優(yōu)質(zhì)單晶起著至關(guān)重要的作用。原料對石英坩堝的腐蝕,以及偏離化學(xué)計量生成的二元、三元中間相均會嚴重影響CdGeAs2多晶的純度和質(zhì)量。本文以載氣攜帶丙酮在石英坩堝內(nèi)壁鍍上高質(zhì)量碳膜,解決了原料對石英坩堝的腐蝕問題;并在雙溫區(qū)爐中設(shè)計了合理的溫場,合成了CdGeAs2多晶料。經(jīng)X射線粉末衍射分析和晶胞精修表明樣品為高純、單相CdGeAs2多晶。