高純度的多晶對生長優(yōu)質單晶起著至關重要的作用。原料對石英坩堝的腐蝕,以及偏離化學計量生成的二元、三元中間相均會嚴重影響CdGeAs2多晶的純度和質量。本文以載氣攜帶丙酮在石英坩堝內壁鍍上高質量碳膜,解決了原料對石英坩堝的腐蝕問題;并在雙溫區(qū)爐中設計了合理的溫場,合成了CdGeAs2多晶料。經X射線粉末衍射分析和晶胞精修表明樣品為高純、單相CdGeAs2多晶。
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作者
戚鳴;吳海信;王振友;黃昌保;倪友保;張春麗.
期刊
人工晶體學報,4,865-871,891(2016)
年份