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利用原子力顯微鏡和橢圓偏振光譜儀,研究了不同退火溫度下深紫外(DUV)輔助高壓處理對溶液旋涂法制備的非晶IGZO薄膜微觀結構與光學特性的影響。實驗結果表明,通過DUV輔助高壓退火處理,當退火溫度從210℃升高至300℃,薄膜的光學帶隙由2.97eV 升至3.32eV,而膜表面粗糙層從22.81nm 降至5.02nm。300℃-DUV處理的樣品與同等壓強下300℃無UV處理和350℃退火處理的相比,薄膜的折射率增加并明顯地降低了其表面粗糙度,因此,DUV輔助高壓退火處理能夠有效減少有機化合物的殘留,促進了成膜前驅基團的遷移,并形成更加致密的非晶IGZO薄膜。

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作者

鄒春暉;張婷;湯猛;鐘傳杰.

期刊

固體電子學研究與進展,36:2,165-170(2016)

年份