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利用原子力顯微鏡和橢圓偏振光譜儀,研究了不同退火溫度下深紫外(DUV)輔助高壓處理對(duì)溶液旋涂法制備的非晶IGZO薄膜微觀結(jié)構(gòu)與光學(xué)特性的影響。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,通過DUV輔助高壓退火處理,當(dāng)退火溫度從210℃升高至300℃,薄膜的光學(xué)帶隙由2.97eV 升至3.32eV,而膜表面粗糙層從22.81nm 降至5.02nm。300℃-DUV處理的樣品與同等壓強(qiáng)下300℃無(wú)UV處理和350℃退火處理的相比,薄膜的折射率增加并明顯地降低了其表面粗糙度,因此,DUV輔助高壓退火處理能夠有效減少有機(jī)化合物的殘留,促進(jìn)了成膜前驅(qū)基團(tuán)的遷移,并形成更加致密的非晶IGZO薄膜。

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作者

鄒春暉;張婷;湯猛;鐘傳杰.

期刊

固體電子學(xué)研究與進(jìn)展,36:2,165-170(2016)

年份