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在不同的射頻負(fù)偏壓作用下，利用微波電子回旋共振(ECR)等離子體源化學(xué)氣相沉積技術(shù)在單晶硅表面進(jìn)行制備類金剛石薄膜研究。利用傅立葉變換紅外吸收光譜(FTIR)和原子力顯微鏡(AFM)對薄膜的結(jié)構(gòu)成分和形貌進(jìn)行了分析表征，同時(shí)對所制備的薄膜摩擦系數(shù)進(jìn)行了測試。結(jié)果表明：所制備的薄膜具有典型的含H 類金剛石結(jié)構(gòu)特征，薄膜結(jié)構(gòu)致密均勻、表面粗糙度小。隨著負(fù)偏壓的增大，紅外光譜中2800 cm- 1～3000 cm- 1 波段的C- H 伸縮振動(dòng)吸收峰的強(qiáng)度先升高后降低，在射頻功率為50 W 時(shí)達(dá)到最大，所對應(yīng)的薄膜摩擦系數(shù)是先降低再升高，在射頻功率為50 W 時(shí)達(dá)到最小。