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在不同的射頻負偏壓作用下，利用微波電子回旋共振(ECR)等離子體源化學氣相沉積技術在單晶硅表面進行制備類金剛石薄膜研究。利用傅立葉變換紅外吸收光譜(FTIR)和原子力顯微鏡(AFM)對薄膜的結構成分和形貌進行了分析表征，同時對所制備的薄膜摩擦系數(shù)進行了測試。結果表明：所制備的薄膜具有典型的含H 類金剛石結構特征，薄膜結構致密均勻、表面粗糙度小。隨著負偏壓的增大，紅外光譜中2800 cm- 1～3000 cm- 1 波段的C- H 伸縮振動吸收峰的強度先升高后降低，在射頻功率為50 W 時達到最大，所對應的薄膜摩擦系數(shù)是先降低再升高，在射頻功率為50 W 時達到最小。