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采用射頻磁控濺射技術(shù)，室溫下在玻璃襯底上制備了Ａｌ、Ｓｎ共摻雜ＺｎＯ導(dǎo)電薄膜（ＺＡＴＯ），利用Ｘ射線衍射儀（ＸＲＤ）、原子力顯微鏡（ＡＦＭ）、紫外－可見光分光光度計(jì)、四探針測(cè)試儀表征了薄膜的結(jié)構(gòu)與光電性能。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，ＺＡＴＯ薄膜具有（００２）擇優(yōu)取向，當(dāng)濺射功率為１２０Ｗ 時(shí)，ＺＡＴＯ薄膜在可見光范圍的平均透過率大于８８％，電阻率為７．４６×１０－３Ω·ｃｍ。