采用射頻磁控濺射技術(shù),室溫下在玻璃襯底上制備了Al、Sn共摻雜ZnO導(dǎo)電薄膜(ZATO),利用X射線衍射儀(XRD)、原子力顯微鏡(AFM)、紫外-可見光分光光度計、四探針測試儀表征了薄膜的結(jié)構(gòu)與光電性能。實驗結(jié)果表明,ZATO薄膜具有(002)擇優(yōu)取向,當(dāng)濺射功率為120W 時,ZATO薄膜在可見光范圍的平均透過率大于88%,電阻率為7.46×10-3Ω·cm。
論文下載
作者
胡仁杰;李合琴;李輝;張元元;謝炳超
期刊
合肥工業(yè)大學(xué)學(xué)報(自然科學(xué)版)
年份