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利用射頻磁控濺射法在玻璃襯底上制備SnS薄膜,用X射線衍射(XRD)、能譜儀(EDS)、原子力顯微鏡(AFM)、場發(fā)射掃描電鏡(FE-SEM)和紫外-可見-近紅外分光光度計(UV-Vis-NIR)分別對所制備的薄膜晶體結構、組分、表面形貌、厚度、反射率和透過率進行表征分析。研究結果表明:薄膜厚度的增加有利于改善薄膜的結晶質量和組分配比,晶粒尺寸和顆粒尺寸隨著厚度的增加而變大。樣品的折射率在1 500~2 500nm波長范圍內隨著薄膜厚度的增加而增大。樣品在可見光區(qū)域吸收強烈,吸收系數(shù)達105cm-1量級。禁帶寬度在薄膜厚度增加到1 042 nm時為1.57 e V,接近于太陽電池材料的的最佳光學帶隙(1.5 e V)。

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作者

余亮,梁齊,劉磊,馬明杰,史成武.

期刊

發(fā)光學報,36:4,429-436(2015)

年份