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利用射頻磁控濺射法在玻璃襯底上制備SnS薄膜,用X射線衍射(XRD)、能譜儀(EDS)、原子力顯微鏡(AFM)、場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡(FE-SEM)和紫外-可見(jiàn)-近紅外分光光度計(jì)(UV-Vis-NIR)分別對(duì)所制備的薄膜晶體結(jié)構(gòu)、組分、表面形貌、厚度、反射率和透過(guò)率進(jìn)行表征分析。研究結(jié)果表明:薄膜厚度的增加有利于改善薄膜的結(jié)晶質(zhì)量和組分配比,晶粒尺寸和顆粒尺寸隨著厚度的增加而變大。樣品的折射率在1 500~2 500nm波長(zhǎng)范圍內(nèi)隨著薄膜厚度的增加而增大。樣品在可見(jiàn)光區(qū)域吸收強(qiáng)烈,吸收系數(shù)達(dá)105cm-1量級(jí)。禁帶寬度在薄膜厚度增加到1 042 nm時(shí)為1.57 e V,接近于太陽(yáng)電池材料的的最佳光學(xué)帶隙(1.5 e V)。