為擴(kuò)大晶粒尺寸并降低晶粒間界缺陷對(duì)多晶硅薄膜晶體管的不良影響，采用準(zhǔn)分子激光相位掩模法制備了大晶粒尺寸的多晶硅薄膜。首先，在無(wú)相位掩模時(shí)利用不同能量密度的準(zhǔn)分子激光晶化非晶硅薄膜，通過(guò)掃描電鏡觀測(cè)晶粒尺寸確定超級(jí)橫向生長(zhǎng)的能量窗口；然后，在該能量密度下采用周期為１ ０７３ｎｍ的相位掩模板對(duì)入射光束進(jìn)行相位調(diào)制，
在樣品表面形成人工可控的橫向溫度梯度，使非晶硅熔化并橫向生長(zhǎng)結(jié)晶為多晶硅；最后，對(duì)薄膜特性進(jìn)行測(cè)量，并與非晶硅薄膜和超級(jí)橫向生長(zhǎng)制備的多晶硅薄膜進(jìn)行比較。結(jié)果表明：本文方法制作的薄膜的平均晶粒尺寸提高了一個(gè)數(shù)
量級(jí)，達(dá)到了２２８．２４ｎｍ；薄膜電阻率降低一個(gè)數(shù)量級(jí)，為１８．９Ω·ｍ；且晶粒分布規(guī)則有序。該方法能有效提高多晶硅薄膜的電學(xué)特性，適用于高質(zhì)量多晶硅薄膜器件的制作
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作者
張健;林廣平;張睿;崔國(guó)宇;李傳南
期刊
光學(xué)精密工程
年份