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為擴大晶粒尺寸并降低晶粒間界缺陷對多晶硅薄膜晶體管的不良影響，采用準分子激光相位掩模法制備了大晶粒尺寸的多晶硅薄膜。首先，在無相位掩模時利用不同能量密度的準分子激光晶化非晶硅薄膜，通過掃描電鏡觀測晶粒尺寸確定超級橫向生長的能量窗口；然后，在該能量密度下采用周期為１?。埃罚常睿淼南辔谎谀０鍖θ肷涔馐M行相位調(diào)制，
在樣品表面形成人工可控的橫向溫度梯度，使非晶硅熔化并橫向生長結(jié)晶為多晶硅；最后，對薄膜特性進行測量，并與非晶硅薄膜和超級橫向生長制備的多晶硅薄膜進行比較。結(jié)果表明：本文方法制作的薄膜的平均晶粒尺寸提高了一個數(shù)
量級，達到了２２８．２４ｎｍ；薄膜電阻率降低一個數(shù)量級，為１８．９Ω·ｍ；且晶粒分布規(guī)則有序。該方法能有效提高多晶硅薄膜的電學特性，適用于高質(zhì)量多晶硅薄膜器件的制作