以去離子水(H2O)和二乙基鋅(DEZn)為源材料,生長(zhǎng)溫度是680 ℃時(shí),利用常壓MOCVD在GaN /
Al2O3 模板上成功生長(zhǎng)了ZnO單晶薄膜,用原子力顯微鏡(AFM) 、X射線雙晶衍射(DCXRD) 、光致發(fā)光譜
( PL)對(duì)ZnO薄膜的表面形貌、結(jié)晶學(xué)性質(zhì)、光學(xué)性質(zhì)作了綜合研究。雙晶衍射表明, ZnO非對(duì)稱(101 -
2)面ω掃描的半峰全寬( FWHM)僅為420 arcsec,估算所生長(zhǎng)ZnO膜的位錯(cuò)密度大約為108 / cm2 量級(jí),這與具有器件
質(zhì)量的GaN材料的位錯(cuò)密度相當(dāng)。在ZnO薄膜的低溫15 K光熒光譜中,觀察到很強(qiáng)的自由激子和束縛激子
發(fā)射以及自由激子與束縛激子的多級(jí)聲子伴線。
論文下載
作者
戴江南,王立,方文卿,蒲勇,莫春蘭,熊傳兵,鄭暢達(dá),劉衛(wèi)華,江風(fēng)益.
期刊
發(fā)光學(xué)報(bào),26(6),772-777(2005)
年份