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以去離子水(H2O)和二乙基鋅(DEZn)為源材料,生長溫度是680 ℃時,利用常壓MOCVD在GaN /
Al2O3 模板上成功生長了ZnO單晶薄膜,用原子力顯微鏡(AFM) 、X射線雙晶衍射(DCXRD) 、光致發(fā)光譜
( PL)對ZnO薄膜的表面形貌、結晶學性質、光學性質作了綜合研究。雙晶衍射表明, ZnO非對稱(101 -
2)面ω掃描的半峰全寬( FWHM)僅為420 arcsec,估算所生長ZnO膜的位錯密度大約為108 / cm2 量級,這與具有器件
質量的GaN材料的位錯密度相當。在ZnO薄膜的低溫15 K光熒光譜中,觀察到很強的自由激子和束縛激子
發(fā)射以及自由激子與束縛激子的多級聲子伴線。