以去離子水(H2O)和三甲基 鎵(TMGa)為源材料,用常壓MOCVD方法在藍(lán)寶石(0001)面上生長(zhǎng)出β-Ga2O3薄膜。用原子力顯微鏡(AFM)、X射線衍射(XRD)以及 二次離子質(zhì)譜(SIMS)實(shí)驗(yàn)表征Ga2O3外延膜的質(zhì)量。在X射線衍射譜中有一個(gè)強(qiáng)的Ga2O3(1-02)面衍射峰,其半峰全寬(FWHM)為 0.25°,表明該Ga2O3外延膜是(1-02)擇優(yōu)取向。在二次離子質(zhì)譜中除了C、H、O和Ga原子外,沒(méi)有觀測(cè)到其他原子
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作者
戴江南,王立,方文卿,蒲勇,李璠,鄧暢達(dá),劉衛(wèi)華,江風(fēng)益
期刊
發(fā)光學(xué)報(bào)
年份