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以去離子水(H2O)和三甲基 鎵(TMGa)為源材料,用常壓MOCVD方法在藍寶石(0001)面上生長出β-Ga2O3薄膜。用原子力顯微鏡(AFM)、X射線衍射(XRD)以及 二次離子質譜(SIMS)實驗表征Ga2O3外延膜的質量。在X射線衍射譜中有一個強的Ga2O3(1-02)面衍射峰,其半峰全寬(FWHM)為 0.25°,表明該Ga2O3外延膜是(1-02)擇優(yōu)取向。在二次離子質譜中除了C、H、O和Ga原子外,沒有觀測到其他原子