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以石英基片為襯底,分別在常壓0.1 MPa和500 MPa高壓條件下采用原位聚合法制備聚苯胺（PANI）薄膜.通過對PANI薄膜的厚度進行原子力顯微鏡的直接測量和光譜的間接表征,建立了薄膜厚度df（nm）與薄膜UV-Vis吸收光譜中400 nm處吸收強度A400間的關(guān)系：df=548A400（0.1 MPa）及df=341A400（500 MPa）.根據(jù)這一關(guān)系進一步測量了薄膜的生長曲線,并通過掃描電鏡（SEM）形貌觀測和電導率測試,研究了原位聚合PANI薄膜在不同合成壓力下的生長及導電特性.