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以石英基片為襯底,分別在常壓0.1 MPa和500 MPa高壓條件下采用原位聚合法制備聚苯胺（PANI）薄膜.通過(guò)對(duì)PANI薄膜的厚度進(jìn)行原子力顯微鏡的直接測(cè)量和光譜的間接表征,建立了薄膜厚度df（nm）與薄膜UV-Vis吸收光譜中400 nm處吸收強(qiáng)度A400間的關(guān)系：df=548A400（0.1 MPa）及df=341A400（500 MPa）.根據(jù)這一關(guān)系進(jìn)一步測(cè)量了薄膜的生長(zhǎng)曲線,并通過(guò)掃描電鏡（SEM）形貌觀測(cè)和電導(dǎo)率測(cè)試,研究了原位聚合PANI薄膜在不同合成壓力下的生長(zhǎng)及導(dǎo)電特性.