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采用雙靶反應(yīng)磁控共濺射法在Si(100)和載玻片襯底上制備了Al摻雜ZnO(ZAO)薄膜,利用X射線衍射儀(XRD)、原子力顯微鏡(AFM)、熒光分光光度計、紫外可見光分光光度計,四探針測試儀等手段對薄膜進行表征,研究了Al摻雜對ZnO薄膜結(jié)構(gòu)和光電性能的影響。結(jié)果顯示,Al摻雜未改變ZnO的晶體結(jié)構(gòu),ZAO薄膜沿(002)晶面生長,具有單一的紫光發(fā)射峰,在可見光區(qū)透過率大于80%,當Zn靶和Al靶濺射功率分別為100 W和20W時,ZAO薄膜的電阻率為8.85×10-4W.cm,表明利用雙靶反應(yīng)磁控共濺射法制備的ZAO薄膜具有較好的光電性能