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采用雙靶反應(yīng)磁控共濺射法在Si(100)和載玻片襯底上制備了Al摻雜ZnO(ZAO)薄膜,利用X射線衍射儀(XRD)、原子力顯微鏡(AFM)、熒光分光光度計(jì)、紫外可見光分光光度計(jì),四探針測(cè)試儀等手段對(duì)薄膜進(jìn)行表征,研究了Al摻雜對(duì)ZnO薄膜結(jié)構(gòu)和光電性能的影響。結(jié)果顯示,Al摻雜未改變ZnO的晶體結(jié)構(gòu),ZAO薄膜沿(002)晶面生長(zhǎng),具有單一的紫光發(fā)射峰,在可見光區(qū)透過率大于80%,當(dāng)Zn靶和Al靶濺射功率分別為100 W和20W時(shí),ZAO薄膜的電阻率為8.85×10-4W.cm,表明利用雙靶反應(yīng)磁控共濺射法制備的ZAO薄膜具有較好的光電性能