利用氧離子束輔助脈沖反應(yīng)磁控濺射技術(shù)在聚酰亞胺基底上沉積Al2O3薄膜.這項(xiàng)技術(shù)在濺射高純鋁靶材的同時(shí)利用低能氧離子進(jìn)行氧化來控制薄膜的化學(xué)配 比.研究了薄膜沉積過程中離子束輔助的作用以及離子束放電電壓對Al2O3薄膜的化學(xué)成分、結(jié)構(gòu)、表面形貌、光學(xué)性能以及沉積速率的影響.結(jié)果發(fā)現(xiàn),離子 束放電電壓對薄膜的化學(xué)成分具有顯著影響,當(dāng)電壓增加到200V,薄膜已基本達(dá)到完全化學(xué)計(jì)量比且薄膜為非晶結(jié)構(gòu)；薄膜表面粗糙度隨著離子束放電電壓的增 加而減小,當(dāng)電壓達(dá)到300 V時(shí),薄膜具有最小的表面粗糙度；通過對Al2O3薄膜透射譜的測量,分析薄膜的光學(xué)特性,獲得了薄膜的光學(xué)常數(shù)隨離子束放電電壓的變化規(guī)律,發(fā)現(xiàn)氧離子 束輔助沉積的薄膜具有較高的折射系數(shù)和較低的消光系數(shù)；另外,薄膜的沉積速率在電壓增加到300 V時(shí)達(dá)到最大值70 nm/min,是未采用離子束輔助時(shí)沉積速率的5倍.
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作者
王金曉;王志民;馮煜東;王藝;趙慨;速小梅;王虎
期刊
真空科學(xué)與技術(shù)學(xué)報(bào)
年份