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利用氧離子束輔助脈沖反應磁控濺射技術在聚酰亞胺基底上沉積Al2O3薄膜.這項技術在濺射高純鋁靶材的同時利用低能氧離子進行氧化來控制薄膜的化學配 比.研究了薄膜沉積過程中離子束輔助的作用以及離子束放電電壓對Al2O3薄膜的化學成分、結(jié)構(gòu)、表面形貌、光學性能以及沉積速率的影響.結(jié)果發(fā)現(xiàn),離子 束放電電壓對薄膜的化學成分具有顯著影響,當電壓增加到200V,薄膜已基本達到完全化學計量比且薄膜為非晶結(jié)構(gòu)；薄膜表面粗糙度隨著離子束放電電壓的增 加而減小,當電壓達到300 V時,薄膜具有最小的表面粗糙度；通過對Al2O3薄膜透射譜的測量,分析薄膜的光學特性,獲得了薄膜的光學常數(shù)隨離子束放電電壓的變化規(guī)律,發(fā)現(xiàn)氧離子 束輔助沉積的薄膜具有較高的折射系數(shù)和較低的消光系數(shù)；另外,薄膜的沉積速率在電壓增加到300 V時達到最大值70 nm/min,是未采用離子束輔助時沉積速率的5倍.