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應用濺射后硒化法和原子層沉積法分別制備了無鎘的銅銦鎵硒電池關鍵膜層CIGS光吸收薄膜和ZnO緩沖層,著重對該兩膜層進行XPS和AFM表面分析,得到比較理想的制備工藝條件,并結合其它檢測方法:SEM、XRD及吸收光譜等,證明采用操作簡便、成本低廉的該工藝能制備出無鎘的銅銦鎵硒電池。通過I-V測試結果,該電池有一定的光電轉換效率。