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應(yīng)用濺射后硒化法和原子層沉積法分別制備了無鎘的銅銦鎵硒電池關(guān)鍵膜層CIGS光吸收薄膜和ZnO緩沖層,著重對該兩膜層進行XPS和AFM表面分析,得到比較理想的制備工藝條件,并結(jié)合其它檢測方法:SEM、XRD及吸收光譜等,證明采用操作簡便、成本低廉的該工藝能制備出無鎘的銅銦鎵硒電池。通過I-V測試結(jié)果,該電池有一定的光電轉(zhuǎn)換效率。