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基于Ga As襯底采用全息光刻和濕法刻蝕技術(shù)制備周期孔陣圖形。得出全息光刻雙曝光最優(yōu)曝光時間為60 s。采用H3PO4∶H202∶H2O=1∶1∶10配比的刻蝕液,得出最佳刻蝕時間為30 s。掃描電子顯微鏡（SEM）和原子力顯微鏡（AFM）測試圖片顯示,孔陣周期為528 nm,刻蝕深度為124 nm,具有完美的表面形貌及良好均勻性和周期性。