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基于溶液旋涂法和高壓退火工藝制備了a-IGZO薄膜。采用橢圓偏振光譜分析儀以及原子力顯微鏡研究和分析了H2O2對薄膜的表面結構和光學特性的影響。實驗結果表明,a-IGZO前驅液中不含H2O2的薄膜,退火溫度從220℃升高到300℃,薄膜的光學帶隙從3.03增加到3.29,而膜表面粗糙層由20.69nm降至4.68nm。在同樣的高壓退火條件處理下,與前驅液中沒加入H2O2的薄膜相比,折射率顯著增加并明顯的降低了薄膜表面粗糙度。退火溫度在300℃時,薄膜的光學帶隙由3.29eV增大到3.34eV,表面粗糙層由4.68nm減少到2.89nm。因此,H2O2可以在相對低溫條件下有效降低薄膜內部的有機物殘留及微缺陷,形成更加致密的a-IGZO薄膜。證明了利用H2O2能夠有效降低溶液法制備aIGZO薄膜所需的退火溫度。