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實(shí)驗(yàn)采用射頻磁控濺射技術(shù),制備了不同濺射時(shí)間下AlN緩沖層的ZnO薄膜,研究了薄膜的結(jié)構(gòu)、形貌及電學(xué)性能.結(jié)果表明,不同濺射時(shí)間下AlN緩沖層ZnO薄膜的生長依然是(002)擇優(yōu)取向,而且當(dāng)緩沖層濺射時(shí)間為60min時(shí),ZnO薄膜的結(jié)構(gòu)和電學(xué)性能最好