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采用溶膠-凝膠（Sol-Gel）法在Pt/Ti/SiO₂/Si襯底上制備不同Pb過(guò)量（未過(guò)量、10%、15%）和引入不同厚度（0、100nm、500nm）鋯鈦酸鉛（PZT）緩沖層的鋯鈦酸鉛鑭（PLZT）反鐵電薄膜,通過(guò)原子力顯微鏡、X線衍射表征分析薄膜的微觀結(jié)構(gòu)。結(jié)果表明,過(guò)量10%的Pb組分有助于形成鈣鈦礦結(jié)構(gòu),獲得較大的晶粒尺寸和理想的粗糙度;100nm的PZT緩沖層的引入有利于PLZT薄膜晶化,形成較致密、結(jié)晶狀況良好的薄膜。