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將化學機械拋光技術（ChemicalMechanicalPolishing，CMP）引入到鎂合金片的拋光中，以硅溶膠、表面活性劑、螯合劑及pH調(diào)節(jié)劑為原料，以渦流攪拌的方法制備鎂合金（AZ91D）拋光液。采用單因素法分析拋光過程中壓力、轉(zhuǎn)速、拋光液流量及拋光時間等參數(shù)對拋光效果的影響。實驗結果表明：在壓力為0．06MPa，拋光盤上盤轉(zhuǎn)速為10r／min、下盤轉(zhuǎn)速為50r／min，拋光液流量為160mL／min，拋光時間為8min的條件下，鎂合金表面形貌良好；在此工藝條件下經(jīng)過化學機械拋光后，鎂合金表面粗糙度Ro能達到10nm。