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目的 通過(guò)磁過(guò)濾陰極弧沉積技術(shù)制備質(zhì)量?jī)?yōu)異的CrCN涂層。研究乙炔/氮?dú)饣旌蠚怏w流量以及基底偏壓對(duì)薄膜結(jié)構(gòu)和成分的影響。方法 采用磁過(guò)濾真空陰極弧沉積技術(shù),在20~100 m L/min變化的乙炔/氮?dú)饣旌蠚怏w流量參數(shù)下沉積CrCN復(fù)合薄膜。通過(guò)X射線衍射、場(chǎng)發(fā)射電子顯微鏡、掃描探針顯微鏡、X射線光電子能譜儀、透射電鏡,對(duì)薄膜的物相結(jié)構(gòu)和形貌進(jìn)行分析。結(jié)果 隨著氣體流量的增加,CrCN復(fù)合薄膜的晶粒逐漸減小最終向非晶化轉(zhuǎn)變。TEM結(jié)果表明,在CrCN復(fù)合薄膜中有大量幾納米到十幾納米的納米晶浸沒(méi)在非晶成分中。SPM表明,隨著基底偏壓由–200 V增大到–150 V,CrCN薄膜的表面粗糙度Sa由0.345 nm上升至4.38 nm。XPS、TEM和XRD數(shù)據(jù)表明,薄膜中Cr元素主要以單質(zhì)Cr、Cr N以及Cr3C2的形式存在。結(jié)論 采用磁過(guò)濾真空陰極弧沉積技術(shù)制備的CrCN復(fù)合薄膜具有納米晶-非晶鑲嵌結(jié)構(gòu)。該方法沉積的CrCN薄膜的表面粗糙度與基底負(fù)偏壓有關(guān)?；旌蠚怏w的流量變化對(duì)薄膜組分的變化幾乎無(wú)影響