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為擴(kuò)大晶粒尺寸并降低晶粒間界缺陷對多晶硅薄膜晶體管的不良影響，采用準(zhǔn)分子激光相位掩模法制備了大晶粒尺寸的多晶硅薄膜。首先，在無相位掩模時(shí)利用不同能量密度的準(zhǔn)分子激光晶化非晶硅薄膜，通過掃描電鏡觀測晶粒尺寸確定超級橫向生長的能量窗口；然后，在該能量密度下采用周期為１?。埃罚常睿淼南辔谎谀０鍖θ肷涔馐M(jìn)行相位調(diào)制，
在樣品表面形成人工可控的橫向溫度梯度，使非晶硅熔化并橫向生長結(jié)晶為多晶硅；最后，對薄膜特性進(jìn)行測量，并與非晶硅薄膜和超級橫向生長制備的多晶硅薄膜進(jìn)行比較。結(jié)果表明：本文方法制作的薄膜的平均晶粒尺寸提高了一個(gè)數(shù)
量級，達(dá)到了２２８．２４ｎｍ；薄膜電阻率降低一個(gè)數(shù)量級，為１８．９Ω·ｍ；且晶粒分布規(guī)則有序。該方法能有效提高多晶硅薄膜的電學(xué)特性，適用于高質(zhì)量多晶硅薄膜器件的制作