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以ＣｄＣｌ２·２．５Ｈ２Ｏ為鎘源，Ｎａ２ＳｅＳＯ３為硒源，檸檬酸鈉為絡(luò)合劑，采用超聲注射噴霧熱分解法制備了ＣｄＳｅ薄膜。并用ＸＲＤ、ＵＶ－Ｖｉｓ、ＡＦＭ 等方法對(duì)其進(jìn)行了表征。結(jié)果表明，所制備的薄膜為ｎ型半導(dǎo)體，在可見光區(qū)有較高的吸收，可以獲得較好的光電流。應(yīng)用超聲注射噴霧熱分解法制備ＣｄＳｅ薄膜的優(yōu)化條件為：基板溫度為３００℃，絡(luò)合劑比例為１∶２，酸度為９，噴霧速度為０．３ｍＬ／ｍｉｎ，退火溫度為３５０℃。新的制備薄膜裝置采用注射超聲霧化手段，克服其霧化不均問題。