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使用硅溶膠、pH 值調(diào)節(jié)劑、表面活性劑和氧化劑等組分配制拋光液，通過超聲波發(fā)生器霧化后，在負壓下導入拋光區(qū)域界面進行CMP 實驗，并在相同的拋光參數(shù)下，與SSP-L 拋光液常規(guī)拋光進行了比較。結(jié)果表明: 當磨粒質(zhì)量分數(shù)為20%、pH 值為11、表面活性劑和氧化劑的質(zhì)量分數(shù)分別為0. 5% 和2% 時，材料去除率MRR 達到490 nm/min，表面粗糙度Ra 為2. 72 nm。配制的拋光液的霧化拋光效果和SSP-L 拋光液常規(guī)拋光效果接近，而霧化拋光液用量接近常規(guī)拋光液的1 /10。分析原因是霧化液均勻的化學組分以及在界面化學反應(yīng)中的高活性、強吸附性，有利于材料去除和形成超精細的表面。