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本文應(yīng)用掃描隧道顯微鏡(STM ) , 對使用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法(PECVD) 制備的納米硅
(nc2Si: H) 薄膜進(jìn)行了研究, 得到顆粒上以及顆粒間界的原子結(jié)構(gòu)圖像, 從圖像上可以得出: (1) 納米
硅薄膜是由許多不同大小的顆粒所組成。這些顆粒同時(shí)又是由更小的微顆粒所組成。(2) 微顆粒的表
面及界面原子排列可以分為四種形式; 環(huán)狀結(jié)構(gòu), 線狀結(jié)構(gòu), 網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)以及完全無規(guī)的隨機(jī)排列。(3)
觀察到環(huán)狀結(jié)構(gòu)不僅存在于界面, 而且普遍存在于微顆粒的表面。本文從機(jī)理上對以上各結(jié)構(gòu)的生
成機(jī)理進(jìn)行了初步的討論。