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　利用掃描電子顯微鏡(SEM) 、原子力顯微鏡(AFM) 、透射電子顯微鏡(TEM)
和X射線衍射(XRD) 技術(shù)研究了低壓金屬有機化學(xué)氣相淀積(LP-MOCVD) 的立方相
GaN/ GaAs (001) 外延層的表面起伏特征,及其與外延層極性和內(nèi)部六角相、立方相微
孿晶之間的聯(lián)系. 結(jié)果表明外延表面存在有大量沿[110 ]方向延伸的條帶狀臺階,而
表面起伏處對應(yīng)著高密度的六角相或立方相微孿晶,在表面平整的區(qū)域內(nèi)其密度則
較低. {111}Ga和{111}N 面上形成六角相和微孿晶概率的明顯差異是導(dǎo)致外延層表
面臺階狀起伏特征的根本原因.