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采用射頻磁控反應(yīng)濺射法，以高純%& 為靶材，高純’!為反應(yīng)氣體，在不銹鋼和單晶() 基片上成功地制備了氧化鋁*%&!’"+薄膜，并對氧化鋁薄膜的沉積速率、結(jié)構(gòu)和表面形貌進(jìn)行了研究。結(jié)果表明，沉積速率隨著射頻功率的增大先幾乎呈線性增大而后緩慢增大；隨著濺射氣壓的增加，沉積速率先增大，在一定氣壓時(shí)達(dá)到峰值后繼續(xù)隨氣壓增大而減小，同時(shí)隨著靶基距的增大而減?。浑S著氧氣流量的不斷增加，靶面濺射的物質(zhì)從金屬態(tài)過渡到氧化物態(tài)，沉積速率也隨之不斷降低。, 射線衍射圖譜表明薄膜結(jié)構(gòu)為非晶態(tài)；用原子力顯微鏡對薄膜表面形貌觀察，薄膜微結(jié)構(gòu)為柱狀。