国产成人亚洲精品无码青app,白丝紧致爆乳自慰喷水,国产疯狂女同互磨高潮在线观看,jizzjizz少妇亚洲水多

采用13.56MHz的射頻等 離子體聚合裝置,以四甲基二硅氧烷(TMDSO)為單體、氧氣為反應(yīng)氣體、氬氣為電離氣體,在載玻片、單晶硅片、PET、BOPP等基體材料上沉積氧化硅 低表面能薄膜。在薄膜的制備工藝研究中,通過改變放電方式、工作壓強(qiáng)、放電功率、沉積時(shí)間、氬氣和TMDSO單體的比例等參數(shù),研究氧化硅薄膜的沉積速 率;通過傅立葉紅外光譜儀(FTIR)、原子力顯微鏡(AFM)等分析了沉積膜的化學(xué)組成和結(jié)合狀態(tài);利用接觸角測定儀測量薄膜的接觸角,從而計(jì)算薄膜的 表面能,最終從結(jié)構(gòu)分析上研究影響S iO2薄膜低表面能內(nèi)在因素。