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用原子力顯微鏡(AFM)研究了電場(chǎng)誘導(dǎo)氧化理論以及偏置電壓和脈沖時(shí)間對(duì)加工結(jié)構(gòu)尺寸的影響.通過(guò)實(shí)驗(yàn)得出了偏壓、脈沖時(shí)間越大,加工尺寸越大的結(jié)論.并總結(jié)出氧化加工Si較好的參數(shù)范圍.

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作者

孫志,秦水介

期刊

半導(dǎo)體技術(shù)

年份