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研究了氧化劑碘酸鉀及拋光粒子CeO2的濃度、拋光轉(zhuǎn)速和拋光壓 力對(duì)銅的化學(xué)機(jī)械拋光速率的影響,并初步解釋了影響因素的機(jī)理.實(shí)驗(yàn)表明在一定范圍內(nèi)材料的去除速率與拋光壓力、拋光轉(zhuǎn)速的關(guān)系可以用Preston方程 的一般式R=KPαVβ來表示,并據(jù)此可得到α,β和K的值;而氧化劑和拋光粉濃度對(duì)拋光速率的影響無明確的規(guī)律.在0.2 mol/L KIO3+5%CeO2、壓力11.703 kPa、轉(zhuǎn)速25 r/min的條件下,銅去除速率為43.9 nm/min,拋光效果Ra=10.9 nm,Rmax=112 nm.