根據(jù)磁場(chǎng)對(duì)帶電粒子的約束原理，本文采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積技術(shù)(PECVD)技術(shù)借助于磁場(chǎng)約束電子以提高氣體分子的離解率達(dá)到提高薄膜沉積 速率的目的。在實(shí)驗(yàn)中以六甲基二硅氧烷和氧氣的混合氣體來(lái)沉積氧化硅薄膜。通過(guò)變化放電功率和放電時(shí)間來(lái)研究薄膜的結(jié)構(gòu)和阻隔性的關(guān)系。采用紅外光譜研究 沉積薄膜的結(jié)構(gòu)成分，測(cè)試結(jié)果表明薄膜成分主要為二氧化硅。采用透氧分析儀（OTR）來(lái)測(cè)量薄膜的阻隔性能，OTR 結(jié)果表明聚酯有機(jī)基材上沉積氧化硅薄膜后阻隔性能大大提高。阻隔性從原膜的135cc/m2.day 降低至0.349 cc/m2.day。同時(shí)SEM 和 AFM 表面形貌分析表明了薄膜的生長(zhǎng)是以柱狀方式生長(zhǎng)，氧化硅層的結(jié)構(gòu)為迷津結(jié)構(gòu)并含有一定的缺陷，這可能是導(dǎo)致透氧透氣的主要原因。
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作者
孫運(yùn)金,桑利軍,陳強(qiáng),張軍峰,張躍飛
期刊
第十三屆全國(guó)等離子體科學(xué)與技術(shù)會(huì)議
年份