采用40kHz中頻脈沖電源,利用電容耦合等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)技術(shù),以六甲基二硅氧烷(HMDSO)為單體、氧氣為反應(yīng)氣體,氬氣為輔助氣體,在PET薄膜表面沉積應(yīng)用于透明高阻隔包裝的氧化硅薄膜,并對其進(jìn)行研究.為了了解氧化硅的形成機(jī)理,通過四極桿質(zhì)譜儀對等離子體放電的氣相中間產(chǎn)物及活性粒子進(jìn)行了原位檢測;而通過傅立葉變換紅外光譜儀(FTIR)及原子力顯微鏡(AFM)對沉積薄膜進(jìn)行化學(xué)組成及表面形貌分析表征,探討了沉積過程中等離子體氣相粒子的產(chǎn)生和反應(yīng)對薄膜特性的影響.
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作者
張軍峰,陳強(qiáng),張躍飛,劉福平
期刊
包裝工程
年份