用二次陽(yáng)極氧化法制備了高質(zhì)量的氧化鋁模板，用磁控濺射法在氧化鋁模板上濺射生長(zhǎng)了非晶SiC 材料． 原子力顯微鏡結(jié)果顯示，在不同的濺射氣壓下( 0. 5 ～ 1. 5 Pa) ，能夠形成層狀、點(diǎn)狀和棒狀的SiC 納米結(jié)構(gòu)． 光致發(fā)光譜顯示，在550 ～ 700 nm 之間有一個(gè)很強(qiáng)的發(fā)光峰，隨著生長(zhǎng)條件的改變，這個(gè)發(fā)光峰的強(qiáng)度有顯著的變化． 分析了納米結(jié)構(gòu)
的形成、發(fā)光峰的變化與制備條件的關(guān)系．
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作者
徐大印;楊詠東;何志巍;李劍平;吳現(xiàn)成
期刊
煙臺(tái)大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)與工程版)
年份