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利用氧離子輔助電子束蒸發(fā)沉積Ta₂O₅薄膜，在固定氧離子能量的條件下研究了氧離子束流密度對Ta₂O₅薄膜的微觀結(jié)構(gòu)、化學(xué)計量比和漏電流密度的影響。利用原子力顯微鏡和X 射線衍射儀對Ta₂O₅薄膜微觀結(jié)構(gòu)進(jìn)行表征研究，發(fā)現(xiàn)隨著離子束流密度增大，沉積的Ta₂O₅薄膜致密性提高，粗糙度下降，但薄膜一直保持非晶態(tài)；同時能譜儀測試的結(jié)果表明，薄膜中O/Ta 比例逐漸提高，直至呈現(xiàn)富氧狀態(tài)。測量了不同薄膜樣品的漏電流密度和擊穿場強(qiáng)，發(fā)現(xiàn)隨著離子束流密度增大，薄膜漏電流密度顯著降低，擊穿場強(qiáng)提高