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采用40 kHz 中頻脈沖電源，利用電容耦合等離子體增強化學氣相沉積(PECVD）技術(shù)，以六甲基二硅氧烷(HMDSO)為單體、氧氣為反應(yīng)氣體，氬氣為輔助氣體，在PET 薄膜表面沉積應(yīng)用于透明高阻隔包裝的氧化硅薄膜，并對其進行研究。在薄膜的制備過程中,為了了解氧化硅的形成機理，通過四極桿質(zhì)譜儀對等離子體放電的氣相中間產(chǎn)物及活性粒子進行原位檢測；而通過傅立葉變換紅外光譜儀( FTIR) 及原子力顯微鏡（AFM）對沉積薄膜進行化學組成及表面形貌分析表征，探討沉積過程中等離子體氣相粒子的產(chǎn)生和反應(yīng)對薄膜特性的影響。