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采用射頻磁控濺射的方法制備Zn摻雜TiO2薄膜，用XRD、SEM和UV—Vis分別表征TiO2薄膜的晶體結(jié)構(gòu)、表面形貌及其紫外一可見光吸收譜。并用此材料制備Au／Ti02／Au結(jié)構(gòu)MSM光電導型薄膜紫外光探測器，研究其光電特性。實驗結(jié)果表明，Zn摻雜TiO2紫外探測器在250nm、5V偏壓紫外光照下光電流約為500μA，其響應度為100A廂，平均暗電流約為0．5μA；由于ZnO／TiO2復合薄膜之間的費米能級不同而形成的內(nèi)建電場作用，減少了產(chǎn)生的光生電子與空穴的復合，得到較強的光電流。且其光響應的上升遲豫時間約為22s，下降響應時間約為80s；響應時間較長是由于廣泛分布于薄膜中的缺陷而造成的。結(jié)果表明Zn摻雜TiO2可作為一種良好的紫外探測材