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利用脈沖激光沉積（PLD）法在氧壓為16Pa、襯底溫度為400～700℃時，在單晶Si（100）襯底上制備ZnO薄膜，并通過原子力顯微鏡（AFM）、X射線衍射（XRD）譜和光致發(fā)光譜對制得的薄膜樣品進行表面形貌、結(jié)構(gòu)特性和發(fā)光性質(zhì)研究。其中通過原子力顯微鏡對樣品的二維、三維以及剖面線圖進行了分析。結(jié)果表明襯底溫度700℃時得到的薄膜樣品表面較均勻致密，晶粒生長較充分，結(jié)晶質(zhì)量較高，相對發(fā)光強度高。控制氧壓為5．7Pa，在襯底溫度為600℃，沉積時間分別為10，20，45min制備ZnO薄膜樣品；利用原子力顯微鏡對樣品進行表面形貌觀察，得知只有沉積時間足夠長才能使薄膜表面晶粒充分生長