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采用射頻磁控濺射的方法制備了TiO2／ZnO復(fù)合薄膜，用XRD、SEM和UV—Vis分 別表征TiO2／ZnO薄膜的晶體結(jié)構(gòu)、表面形貌及其紫外-可見(jiàn)光吸收譜。并用此材料制備了Au／TiO2／ZnO／Au結(jié)構(gòu)MSM光電導(dǎo)型薄膜紫外光探 測(cè)器，研究其光電特性。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，TiO2／znO紫外探測(cè)器在5V偏壓360nm紫外光照下光電流約為500μA，其響應(yīng)度為100A／W，平均暗 電流約為0．5μA；由于TiO^2／ZnO復(fù)合薄膜之間的費(fèi)米能級(jí)不同而形成的內(nèi)建電場(chǎng)作用，減少了產(chǎn)生的光生電子與空穴的復(fù)合，得到較強(qiáng)的光電流，且 其光響應(yīng)的上升弛豫時(shí)間約為22s，下降響應(yīng)時(shí)間約為80S；響應(yīng)時(shí)間較長(zhǎng)是由于廣泛分布于薄膜中的缺陷而造成的。結(jié)果表明TiO^2／ZnO可作為一種 良好的紫外探測(cè)材料