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以ZnO(摻雜2%Al2O3)陶瓷靶作為靶材,采用離子束濺射 技術(shù)在BK7玻璃基底上制備AZO透明導(dǎo)電薄膜.研究不同工藝參數(shù)對ZnO∶Al(AZO)薄膜結(jié)構(gòu)與光電性能的影響.結(jié)果表明,不同等離子體能量下制備 的AZO薄膜均出現(xiàn)ZnO(002)特征衍射峰,具有纖鋅礦結(jié)構(gòu)且c軸擇優(yōu)取向;AZO薄膜的結(jié)晶質(zhì)量和性能對基底溫度有較強(qiáng)的依賴性,只有在適當(dāng)?shù)幕?溫度下,可改善結(jié)晶程度且利于顆粒的生長,呈現(xiàn)較低的電阻率;不同厚度的AZO薄膜均出現(xiàn)較強(qiáng)的ZnO(002)特征衍射峰且隨著厚度的增 加,ZnO(110)峰強(qiáng)度不斷加強(qiáng),相應(yīng)晶粒尺寸變大,但缺陷也隨之增多;同時得出利用離子束濺射方法制備AZO薄膜的最佳工藝為:等離子體能量為 1.3 keV、基底溫度200 ℃和沉積厚度為420 nm,該參數(shù)下制備的薄膜結(jié)晶程度較高、生長的顆粒較大,相應(yīng)薄膜的電阻率較低且薄膜透射率在可見光區(qū)均達(dá)到80%以上.