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利用中頻反應(yīng)磁控濺射在玻璃襯底上沉積了不同濺射功率的AlN薄膜。采用X射線衍射儀、原子力顯微鏡和電擊穿場強測試系統(tǒng)研究了薄膜的結(jié)構(gòu)和電學(xué)性能,并對該介質(zhì)薄膜的導(dǎo)通機制進(jìn)行了分析。結(jié)果表明,所制備的薄膜呈非晶態(tài),5kW濺射功率下制備的薄膜具有較好的表面結(jié)構(gòu),并具有較高的耐擊穿場強,約為2.1MV/cm;結(jié)合理論分析發(fā)現(xiàn),AlN在不同的場強條件下以某一種導(dǎo)通作為主要的導(dǎo)通機制:低場強區(qū)服從歐姆定律,隨著場強升高,在不同的階段分別以肖特基效應(yīng),普爾-弗蘭凱爾效應(yīng)和F-N效應(yīng)為主