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為了獲得光電性能好的ZnS窗口層薄膜,采用電子束蒸發(fā)法在玻璃基片上沉積ZnS薄膜,研究退火溫度(200～500℃)對ZnS薄膜的結(jié)構(gòu)和光電性能的影響.結(jié)果表明:所制備的薄膜均為閃鋅礦結(jié)構(gòu)的β-ZnS多晶薄膜,導電類型為n型.隨著退火溫度的增高,薄膜結(jié)晶度和光電性能都變好.但是,當退火溫度過高(500℃)時,薄膜的半導體特性反而變差.退火溫度為400℃時,ZnS薄膜的性能最佳,此時薄膜的透過率較高;電阻率較低,為246.2 Ω·cm